製作編２
急遽LPFの特性をベッセル特性に変更して、もう片チャンネル分のLPF基板を製作し、改めて動作確認をします。
LPF特性変更
部品の発注ミスでCR２段特性（K=1）でもう１枚の基板が組めないことがわかり、部品追加発注LTで休日を無駄にしたくなかった事から、急遽LPFの特性をベッセル特性（K=1.4）に変更しました。回路図は以下のとおりです。
フィルター用コンデンサの接続に誤りがあり、回路図を修正しました。詳細は、2018-02-09「女神たちの争い（製作編３）」を参照ください。
R2=12KΩとC2+C5=6900pFはK=1.4とした場合とややずれていますが、気にしないことにします。
基板改造と動作確認
１枚目の基板を改造して動作確認を行います。１対のポストに２個のコンデンサーをハンダ付けしますが、特段不都合はありません。
改造前と同様に周波数特性の測定を行います。前回同様に1Vppを入力して測定をしました。出力レベルが下がった高域のレベル測定の方法を、オシロのVpp表示からカーソルによる読みとりに変更したことで10KHz以上のデータの信頼性が上がりましたが、40KHz以上は読みとり限界を越えているため、変更前と同様に結果の信頼性はありません。
遮断域の特性差はあまりありませんでしたが、しいて言えば通過域の特性がよりフラットになっています。せっかくなので矩形波応答の確認もしてみました。
■矩形波応答波形
■矩形波応答波形（拡大）
ベッセル特性の特長のとおり、リンギングは発生せず素直な立ち上がり特性です。立ち上がりの遅れ時間は0.34ms/1Vppでした。
製作続き
もう片チャンネル分の基板実装は、せっかくなので前回よりも詳細に紹介します。初めにICソケット２個を前の基板と同じ位置に仮止めします。
次にLPF用のCR取り付け用のポスト８個の前処理をします。背面ガードをニッパを使って約3mm切ります。
つづいて前処理したポストを出力側のICソケットの両脇に実装します。このポスト加熱しすぎるとベースモールドが溶けてピンがずれてしまうので、手早く作業する必要があります。また２極をいっぺんにハンダ付けする際は、ポストが落ちないように支えてハンダします。
次に入力側ボルテージフォロワから信号ラインの接続をします。配線には部品のリードを流用しました。
電源入力用の端子台とパスコンおよび電源の配線を行います。
同様に信号入出力用の端子台を取り付けます。
最後にLPF用のCRをポストに取り付け、オペアンプを挿せば完成です。
動作確認
電源を接続し、出力オフセット電圧の確認と周波数特性の測定を行いました。測定結果は以下のとおりです。
先に組み上げた基板とほぼ同じ特性です。Hot/Cold間で遮断域に差がありますが、測定レベルが小さい事による測定誤差です。せっかくなので2KHzの入出力応答の確認を行います。
レベルは-5.7dB、位相差は91°でした。
バラック組立用電源
今回は実験なので、専用ケースに納めずにバラック組み立てで音を聴きます。バラック用電源を新たに製作するのはもったいないので、バランス変換ボリュームをディスクリート化した際に余った電源基板を使用します。トランスの電流容量が極端に小さいですが、左右完全独立電源です。オリジナル状態は、外部配線は全てハンダ付けでしたが、使い回しを考えて基板端子台に変更しました。基板上のLEDは反対チャンネルが駆動するパイロットランプ用のLEDの消費電流とバランスをとるためのものです。
これで電源を含めて３枚の基板が完成したので、次回は音だしにむけてバラック状態で組み上げします。
つづく（製作編３）
